东风首批自主碳化硅功率模块下线

碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划纲要中重点关注的科技前沿领域攻关项目，凭借其优良的高禁带宽度、高电子迁移率、高导热等特点，使得碳化硅模块具有显著的高效率、高压、高工作温度的优势，在中高端新能源汽车中的应用越来越普及。

智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。碳化硅模块项目以智新半导体封装技术为引领，广泛与中央企业、高等院校开展合作，从模块设计、模块封装测试、电控应用到整车路试等环节，实现关键核心技术的自主掌控。目前，碳化硅模块开发项目已参与国资委专项课题1项，参与行业标准制定2项。

该碳化硅模块，采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。

智新半导体成立4年来，已申请受理专利51项，其中发明专利40项，已授权专利20项，其中发明专利11项，并获得湖北省“高新技术企业”认证，武汉市专精特新“小巨人”企业认定。